特許
J-GLOBAL ID：201103019937984452
金属薄膜形成方法
発明者：
,
,
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山川 政樹
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-128370
公開番号（公開出願番号）：特開平10-321621
特許番号：特許第3394155号
出願日： 1997年05月19日
公開日（公表日）： 1998年12月04日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 半導体基板の上に金属薄膜を形成する金属薄膜形成方法において、基体表面に金属薄膜を形成する第1の工程と、前記金属薄膜を加熱することで、その結晶粒径を大きくする第2の工程と、前記基体と前記半導体基板とを、前記金属薄膜表面と前記半導体基板表面とが向かい合うように貼り合わせ、引き続いて加熱して、前記金属薄膜を前記半導体基板上に形成する第3の工程と、前記基体を前記金属薄膜より剥離する第4の工程とを備えたことを特徴とする金属薄膜形成方法。
IPC (1件)：
FI (1件)：
前のページに戻る
