特許
J-GLOBAL ID：201103021400543535
自己破壊型半導体装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山川 政樹
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-222810
公開番号（公開出願番号）：特開2000-057285
特許番号：特許第3529635号
出願日： 1998年08月06日
公開日（公表日）： 2000年02月25日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 半導体メモリ素子とこのメモリ素子に記憶されたデータを処理する中央演算処理素子とが同一半導体基板上に形成された半導体集積回路と、自己破壊を行うための電力供給源とを有する自己破壊型半導体装置において、前記半導体集積回路のメモリ情報の少なくとも一部を破壊あるいは少なくとも一部の信号配線を断線させることにより自己破壊を行う破壊回路と、この破壊回路により自己破壊を行うための電荷を蓄積しておく破壊用キャパシタと、前記第1の電力供給源接続用端子と第2の電力供給源接続用端子間の電圧を監視しその電圧低下に応じて検出信号を出力する電圧変化検出回路と、通常動作時は前記電力供給源接続用端子を介して電力供給源と破壊用キャパシタを接続し、電圧変化検出回路から検出信号が出力されたときは、前記接続を遮断して破壊用キャパシタと破壊回路を接続する制御回路乃至素子とを、それぞれ前記半導体基板上に有し、前記電力供給源は、正極集電体と負極集電体のうち面積が小さい方の第1の集電体の面上に接続リードを有し、この第1の集電体が半導体集積回路と向かい合うように半導体基板の素子面上に搭載されるものであり、前記接続リードと半導体基板の素子面側に形成された第1の電力供給源接続用端子とを接合して、第1の集電体との電気的接続を得ると共に、面積が大きい方の第2の集電体上に電力供給源を覆うように被せた金属薄膜と半導体基板の素子面側の対向する2辺を含む周辺部に形成された第2の電力供給源接続用端子とを接合して、第2の集電体との電気的接続を得ることを特徴とする自己破壊型半導体装置。
IPC (6件)：
G06K 19/07
, G06K 19/077
, G06K 19/10
, G11C 5/14
, H01L 21/822
, H01L 27/04
G11C 5/14
, G06K 19/00 J
, G06K 19/00 L
, G06K 19/00 K
, G06K 19/00 R
, H01L 27/04 U
