特許

J-GLOBAL ID：201103024372793597

半導体装置の製造方法

発明者： 細矢 徹夫 ,  町田 克之 ,  今井 和雄 ,  荒井 英輔
出願人/特許権者： 日本電信電話株式会社
代理人 (1件)： 山川 政樹
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-044337
公開番号（公開出願番号）：特開平6-236994
特許番号：特許第3156001号
出願日： 1993年02月10日
公開日（公表日）： 1994年08月23日
請求項（抜粋）：

【請求項1】 半導体基板に形成された絶縁膜上に高融点金属シリサイド膜とシリコン半導体膜との積層体にて構成された電極または配線部を備えた半導体装置の製造方法において、前記半導体基板の絶縁膜上にn型またはp型の導電型を与える不純物を含有したシリコン半導体膜を堆積する工程と、前記シリコン半導体膜の表層を電子サイクロトロン共鳴により形成した窒素系プラズマ中で窒化する工程と、前記表層窒化シリコン半導体膜上に高融点金属シリサイド膜を堆積する工程と、前記高融点金属シリサイド膜上にシリコン酸化膜を堆積した後、上層から順次シリコン酸化膜,高融点金属シリサイド膜,シリコン半導体膜を電極または配線部に対応したパターン形状に加工するエッチング工程と、を具備してなることを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 29/78 ,  H01L 21/28 301 ,  H01L 21/3205

FI (3件)：

H01L 29/78 301 G ,  H01L 21/28 301 D ,  H01L 21/88 Q

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開昭61-030076
  
• 特開平4-099385