半導体装置の製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：中村純之助
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平1-101554
公開番号（公開出願番号）：特開平2-281735
特許番号：特許第2547845号
出願日： 1989年04月24日
公開日（公表日）： 1990年11月19日
請求項（抜粋）：

【請求項1】半導体基板上に第1のパターンと該第1のパターンより幅の大きい第2のパターンを含む電極配線を形成する工程と、該電極配線上に絶縁膜を堆積する工程と、該絶縁膜上にレジストを塗布し、ホトリソグラフィ工程により上記第2のパターンの上記電極配線上の断面が台形状の上記絶縁膜上に当該絶縁膜の幅より小さな幅の溝レジストパターンを形成する工程と、該溝レジストパターンを有するレジストをマスクとして上記絶縁膜をエッチングした後、該レジストを除去する工程と、上記電極配線上に残った凸状の上記絶縁膜上にレジストを塗布する工程と、該レジストと上記絶縁膜とをエッチングする工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (1件)：