薄膜形成方法

発明者： , , , , ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：入戸野巧 (外1名)
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-004905
公開番号（公開出願番号）：特開平9-199493
特許番号：特許第3518570号
出願日： 1996年01月16日
公開日（公表日）： 1997年07月31日
請求項（抜粋）：

【請求項1】半導体基板上に薄膜を形成する薄膜形成方法において、基材表面上に前記薄膜を形成し、前記基材の表面を前記半導体基板表面と対向させて、間に前記薄膜が挟まれた状態で前記基材と前記半導体基板とを張り合わせ、前記基材を前記半導体基板に押しつけることで前記薄膜を前記半導体基板に接着させ、次いで、前記薄膜から前記基材を剥がし、この後、前記薄膜が接着した面とは反対側の面から前記半導体基板を加熱することで前記薄膜を加熱処理して前記半導体基板上で前記薄膜表面を平坦化することを特徴とする薄膜形成方法。

IPC (1件)：