特許

J-GLOBAL ID：201103045917437030

表面形状認識用センサの製造方法

発明者： 田辺 泰之 ,  町田 克之 ,  久良木 億 ,  大西 哲也 ,  熊▲崎▼ 利彦
出願人/特許権者： 日本電信電話株式会社 ,  シャープ株式会社 ,  NTTエレクトロニクス株式会社
代理人 (3件)： 根岸 裕一 ,  入戸野 巧 ,  本山 泰
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-071421
公開番号（公開出願番号）：特開2003-269907
特許番号：特許第3887252号
出願日： 2002年03月15日
公開日（公表日）： 2003年09月25日
請求項（抜粋）：

【請求項1】 半導体基板上に第1配線および第2配線を形成する工程と、 前記半導体基板上に前記第1配線および第2配線を覆う層間絶縁膜を形成する工程と、 前記層間絶縁膜に形成された第1スルーホールおよび第2スルーホールを介して前記第1配線および第2配線に電気的に接続する第1金属膜を形成する工程と、 前記第1金属膜の上に前記第1スルーホールの開口部に対応する所定の第1領域と前記第2スルーホールの開口部に対応する所定の第2領域とを覆う第1マスクパターンを形成する工程と、 前記第1マスクパターンの開口部底部に露出した前記第1金属膜を選択的に除去することで、前記第1領域に前記第1配線に接続された前記第1金属膜からなるセンサ電極、および、前記第2領域に前記第2配線に接続された前記第1金属膜からなる接続電極膜を、同一膜厚で、同時に形成する工程と、 前記センサ電極および接続電極膜を覆って前記層間絶縁膜の上に窒化シリコンからなるパシベーション膜を形成する工程と、 前記パシベーション膜に前記接続電極膜に通ずる第3スルーホールを形成する工程と、 前記第3スルーホールの底部に露出した前記接続電極膜に接触した状態で前記パシベーション膜の上に第2金属膜を形成する工程と、 前記第2金属膜の上に、前記センサ電極に対応する領域を除いた前記第3スルーホールを含む所定領域にパターン部を有する第2マスクパターンを形成する工程と、 前記第2マスクパターンをマスクとして前記第2金属膜を選択的に除去することで、前記接続電極膜を介して前記第2配線に接続するアース電極を形成する工程と を備えたことを特徴とする表面形状認識用センサの製造方法。

IPC (1件)：

G01B 7/28 ( 200 6.01)

FI (1件)：

G01B 7/28 Z

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 表面形状認識用センサ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-032554   出願人：日本電信電話株式会社