特許
J-GLOBAL ID:201103049974341690

静電チャック基盤

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 下田 容一郎 (外2名)
公報種別:特許公告
出願番号(国際出願番号):特願昭60-236028
公開番号(公開出願番号):特開昭62-094953
出願日: 1985年10月21日
公開日(公表日): 1987年05月01日
請求項(抜粋):
【請求項1】セラミックスの基盤上に設けられた導体層と、該導体層を被覆する絶縁層とを備えた静電チャック基盤であって、前記絶縁層がTiO2を0.5〜2重量%添加したアルミナを主成分とし、還元焼成によって得られたことを特徴とする静電チャック基盤。
IPC (1件):
H01L 21/68 R 8418-4M

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