半導体集積回路装置の製造方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：山川政樹 (外1名)
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平1-182540
公開番号（公開出願番号）：特開平3-048440
特許番号：特許第2563206号
出願日： 1989年07月17日
公開日（公表日）： 1991年03月01日
請求項（抜粋）：

【請求項1】シリコン基板上に形成した複数の素子を互いに分離する製造方法において、前記シリコン基板表面に形成した絶縁膜を貫通して素子分離領域となる基板表面に溝を形成し、シリコン基板ホルダにバイアスが印加可能なプラズマ処理装置を用いて前記溝に絶縁膜を堆積する工程と、前記堆積した絶縁膜上にレジストを塗布し、リソグラフィ工程により所定の素子領域上の台形上の絶縁膜上にこの絶縁膜の幅より小さな幅の溝レジストパターンを形成する工程と、前記レジストパターンにより前記台形上の絶縁膜をエッチングする工程と、素子領域上に残った凸状の絶縁膜をプラズマ処理装置を用いてエッチングしながら絶縁膜を堆積する工程と、素子領域となる基板表面が露出するまでエッチングする工程とを備えたことを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。

IPC (2件)：

H01L 21/76 , H01L 27/08 331

FI (2件)：

H01L 21/76 L , H01L 27/08 331 A

前のページに戻る