特許
J-GLOBAL ID：201103052476780903
ヘテロ接合型フォトトランジスタ
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山川 政樹
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-096022
公開番号（公開出願番号）：特開平5-275730
特許番号：特許第3047055号
出願日： 1992年03月24日
公開日（公表日）： 1993年10月22日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 半絶縁性半導体基板上にサブコレクタ層としてn型InPを有しかつ前記サブコレクタ層上にIn1-yGayAs(ただし0<y<1)からなるコレクタ用半導体層と、p型を有しかつIn1-zGazAs(ただし0<z<1)からなるベース用半導体層と、n型を有しかつ前記ベース用半導体層に比して広いエネルギバンドギャップを有するIn1-w(Ga1-xAlx)wAs(ただし0<w<1,0<x<1)からなるエミッタ用半導体層と、が積層されて構成されたことを特徴とするヘテロ接合型フォトトランジスタ。
IPC (1件)：
FI (1件)：
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