特許
J-GLOBAL ID：201103060866196687
化合物半導体装置とその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
角田 芳末 (外2名)
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-256416
公開番号（公開出願番号）：特開2002-094183
特許番号：特許第3465704号
出願日： 1992年06月03日
公開日（公表日）： 2002年03月29日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 化合物半導体基板の主面が[001]結晶面から〈110〉結晶軸方向に0°より大きく5°未満傾けられた面より成り、上記主面上に、〈110〉結晶軸方向に沿う方向に延長するリッジもしくは溝が設けられ、上記化合物半導体基板上に、少なくともAlGaInP系材料より成る層と、GaInPより成る機能層と、AlGaInP系材料より成る層とを含む化合物半導体層がエピタキシャル成長され、上記化合物半導体層に少なくとも[111]B結晶面から0°を超え5°未満オフした面を有する機能層が設けられて成ることを特徴とする化合物半導体装置。
IPC (1件)：
FI (1件)：
引用特許：
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