演算装置及び局所治療薬

発明者： ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：大賀眞司
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-170909
公開番号（公開出願番号）：特開2007-314544
特許番号：特許第4279330号
出願日： 2007年06月28日
公開日（公表日）： 2007年12月06日
請求項（抜粋）：

【請求項1】第一原理分子動力学法に基づくコンピュータ・シミュレーションを実行する演算手段と、前記演算手段に、磁性を有するか否かの評価対象となる化合物であって、前記磁性に影響する複数の側鎖を変更しながら、当該複数の側鎖を持つ前記化合物の化学式を前記演算手段に入力する手段と、を備える、前記化合物の磁性を前記コンピュータ・シミュレーションによって求める演算装置であって、前記演算手段は、入力された前記化学式に基づいて、上向きのスピンであるスピンアップ波動関数Φ↑(r)と、下向きのスピンであるスピンダウンの波動関数Φ↓(r)と、スピンアップ有効ポテンシャルV↑(r)と、スピンダウン有効ポテンシャルV↓(r)と、スピンアップ電荷密度ρ↑(r)と、及び、スピンダウン電荷密度ρ↓(r)の各初期値を設定する(rは3次元空間上の座標を示す変数である。)第1の手段と、前記第1の手段において設定された、前記スピンアップ有効ポテンシャルV↑(r)、前記スピンダウン有効ポテンシャルV↓(r)、前記スピンアップ電荷密度ρ↑(r)、及び、前記スピンダウン電荷密度ρ↓(r)の各初期値に基づいて、Kohn Sham方程式を解き、前記スピンアップ波動関数Φ↑(r)、前記スピンダウン波動関数Φ↓(r)、スピンアップエネルギ固有値ε↑、及び、スピンダウンエネルギ固有値ε↓と、を算出する第2の手段と、前記第2の手段において算出された、前記スピンアップ波動関数Φ↑(r)及び前記スピンダウン波動関数Φ↓(r)に基づいて、前記スピンアップ電荷密度ρ↑(r)、前記スピンダウン電荷密度ρ↓(r)、前記スピンアップ有効ポテンシャルV↑(r)、及び、前記スピンダウン有効ポテンシャルV↓(r)と、を算出する第3の手段と、前記第3の手段で算出されたスピンアップ電荷密度ρ↑(r)及び前記スピンダウン電荷密度ρ↓(r)のそれぞれの値を記憶する第4の手段と、前記第1の手段の前記スピンアップ電荷密度ρ↑(r)及び前記スピンダウン電荷密度ρ↓(r)の初期値が、前記第4の手段において記憶された当該スピンアップ電荷密度ρ↑(r)及び当該スピンダウン電荷密度ρ↓(r)にそれぞれ等しいか否かを判定する第5の手段と、前記第5の手段における前記判定の結果が否定である場合、前記第3の手段において算出した、前記スピンアップ有効ポテンシャルV↑(r)と、前記スピンダウン有効ポテンシャルV↓(r)と、前記スピンアップ電荷密度ρ↑(r)と、及び前記スピンダウン電荷密度ρ↓(r)とを新たな初期値に設定し、当該初期値を前記第2の手段に適用して、前記Kohn Sham方程式を解いて、新たなスピンアップ波動関数Φ↑(r)と、スピンダウン波動関数Φ↓(r)と、スピンアップエネルギ固有値ε↑と、及び、スピンダウンエネルギ固有値ε↓と、をそれぞれ算出し、この算出値が前記設定された新たな初期値に等しくなるまで、前記第2の手段乃至第5の手段を繰り返し実行する第6の手段と、前記第5の手段における前記判定の結果が肯定である場合、前記Kohn Sham方程式を満足する前記スピンアップ波動関数Φ↑(r)と、前記スピンダウン波動関数Φ↓(r)と、前記スピンアップエネルギ固有値ε↑と、及び、前記スピンダウンエネルギ固有値ε↓と、に基づいて前記化合物を構成する各原子を、3次元空間上において前記スピンアップ波動関数Φ↑(r)、及び前記スピンダウン波動関数Φ↓(r)から推測される最適な方向に所定の距離だけ移動させ、そして、前記複数の側鎖のうち第1の側鎖の原子と第2の側鎖の原子とを架橋させながら前記化合物の3次元構造を変化させ、その時、前記化学式の各原子に働く原子間力を算出し、当該原子間力が0か否かを判定する第7の手段と、前記第7の手段の前記判定結果が否定の場合、各原子の移動後の構造における前記スピンアップ波動関数Φ↑(r)及び前記スピンダウン波動関数Φ↓(r)を求めると共に、当該スピンアップ波動関数Φ↑(r)及びスピンダウン波動関数Φ↓(r)から求めた、前記スピンアップ有効ポテンシャルV↑(r)と、前記スピンダウン有効ポテンシャルV↓(r)と、前記スピンアップ電荷密度ρ↑(r)、及び前記スピンダウン電荷密度ρ↓(r)とを新たな初期値と設定し、当該初期値を前記第2の手段に適用して、前記Kohn Sham方程式を解き、前記スピンアップ波動関数Φ↑(r)、新たなスピンダウン波動関数Φ↓(r)、スピンアップエネルギ固有値ε↑、及び、スピンダウンエネルギ固有値ε↓と、を算出し、前記原子間力が0になるまで前記第2の手段乃至第7の手段を繰り返し実行する第8の手段と、前記第7の手段の前記判定結果が肯定の場合、その時の前記化合物の構造における前記スピンアップ波動関数Φ↑(r)及び前記スピンダウン波動関数Φ↓(r)に基づいて、前記スピン電荷密度分布を求める第9の手段と、前記第9の手段において求めた前記スピン電荷密度に基づいて、前記化合物の構造が磁性を有するか否かを判定する第10の手段と、前記化合物の構造が磁性を有すると判定された後、前記スピンアップ電荷密度又は前記スピンダウン電荷密度の一方であるか否かを判定する第11の手段と、前記第11の手段の判定結果が肯定の場合は、前記第9の手段における前記化合物の構造自体が磁性体からなる担体を用いなくても強磁性を有すると判定し、当該判定結果が否定の場合は、当該化合物の構造自体が前記担体を用いなくてもフェリ磁性を有すると判定する第12の手段と、を備える、前記演算装置。

IPC (1件)：

G06F 19/00 ( 200 6.01)

FI (1件)：

G06F 19/00 110

引用特許：

審査官引用 (8件)

分子設計支援装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-017430 出願人：株式会社日立製作所
特公昭5-023276
特開昭49-013316

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