半導体集積回路の配線構造

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：玉蟲久五郎 (外2名)
公報種別：特許公告
出願番号（国際出願番号）：特願昭61-151007
公開番号（公開出願番号）：特開昭63-007650
出願日： 1986年06月27日
公開日（公表日）： 1988年01月13日
請求項（抜粋）：

【請求項1】半導体集積回路を形成する半導体基板上に配置させた複数の配線を含む配線構造において、前記半導体基板上に形成した第1の絶縁層からなる凸部と、前記凸部上に、凸部毎に形成した配線と、前記配線間に、少なくとも前記配線の側面及び前記凸部の側面の一部を覆う形状で、前記第1の絶縁層の比誘電率より小さい比誘電率を有する第2の絶縁層とを備えてなることを特徴とする半導体集積回路の配線構造。

IPC (1件)：