特許

J-GLOBAL ID：201103063292301958

電荷測定方法

発明者： 佐久間 一人 ,  鴨志田 和良 ,  逸見 学 ,  細矢 徹夫 ,  町田 克之
出願人/特許権者： 日本電信電話株式会社
代理人 (1件)： 山川 政樹
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-340383
公開番号（公開出願番号）：特開平7-161795
特許番号：特許第3401731号
出願日： 1993年12月09日
公開日（公表日）： 1995年06月23日
請求項（抜粋）：

【請求項1】 半導体基板上に形成された絶縁膜中の可動イオンを測定する三角波掃引法による電荷測定方法において、表面及び裏面に金属膜を形成したシリコン基板を所望の大きさに分割して表裏両面に金属面を有する小片電極を形成し、前記小片電極の前記金属面のいずれか一方を前記絶縁膜に熱圧着することでゲート電極を形成してMOSダイオードを作成し、前記ゲート電極と半導体基板の間に、電圧を上下させる三角波をもちいて印加する電圧を掃引し、この時の電流を測定することで、前記絶縁膜中の可動イオンを測定することを特徴とする電荷測定方法。

IPC (2件)：

H01L 21/66 ,  G01R 31/26

FI (3件)：

H01L 21/66 Y ,  H01L 21/66 N ,  G01R 31/26 C