化合物半導体装置とその製造方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：松隈秀盛
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-142842
公開番号（公開出願番号）：特開平5-335258
特許番号：特許第3257034号
出願日： 1992年06月03日
公開日（公表日）： 1993年12月17日
請求項（抜粋）：

【請求項1】化合物半導体基板の{001}結晶面より成る主面上に、〈110〉結晶軸方向から、0°<α≦8°なる角度αずれた方向に延長するリッジもしくは溝が設けられ、上記化合物半導体基板上に、少なくともAlGaInP系材料より成る第1のクラッド層と、GaInPより成る活性層と、AlGaInP系材料より成る第2のクラッド層とを含む化合物半導体層がエピタキシャル成長され、上記化合物半導体層に少なくとも{111}B結晶面から、上記角度αオフした面を有する機能層が設けられて成ることを特徴とする化合物半導体装置。

IPC (3件)：