半導体装置の製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：山川政樹 (外1名)
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願昭62-185384
公開番号（公開出願番号）：特開平1-030228
特許番号：特許第2563180号
出願日： 1987年07月27日
公開日（公表日）： 1989年02月01日
請求項（抜粋）：

【請求項1】第1の導電層を形成する工程と、上記第1の導電層上に絶縁層を形成する工程と、上記絶縁層に接続孔を形成する工程と、上記接続孔の側壁に酸素イオンのみでスパッタエッチングすることによりテーパを形成する工程と、上記第1の導電層および絶縁層上に第2の導電層を形成する工程とを含むことを特徴とした半導体装置の製造方法。

IPC (1件)：