特許
J-GLOBAL ID：201103075256118312
表面形状認識用センサ
発明者：
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山川 政樹
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-032554
公開番号（公開出願番号）：特開2000-230801
特許番号：特許第3455459号
出願日： 1999年02月10日
公開日（公表日）： 2000年08月22日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 半導体基板上に形成された層間絶縁膜の同一平面にそれぞれが絶縁分離され、かつそれぞれ固定配置されたセンサ電極を有する複数の容量検出素子と、前記容量検出素子それぞれの容量を検出する容量検出手段と、前記層間絶縁膜上で前記センサ電極と絶縁分離されて配置されたアース電極と、前記層間絶縁膜上にセンサ電極を覆うように形成されかつ絶縁性の部材から構成されたパシベーション膜とを備え、前記アース電極は、前記パシベーション膜表面に一部が接触した対向電極となる表面形状の認識対象物の表面と接触するように、その一部が前記パシベーション膜表面で露出して前記層間絶縁膜上に形成され、前記アース電極は正方形の格子状に形成されてその1つの升で前記容量検出素子が構成され、前記センサ電極は前記アース電極で形成された升の中に配置され、前記パシベーション膜は前記センサ電極上の膜厚が0.3μm以上20μm以下に形成され、前記容量検出手段は、前記アース電極および前記認識対象物の表面と前記センサ電極との間の容量を検出することを特徴とする表面形状認識用センサ。
IPC (3件)：
G01B 7/28
, A61B 5/117
, G06T 7/00 530
G01B 7/28 A
, G06T 7/00 530
, A61B 5/10 322
