半導体受光素子及びその製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：松元洋 , 光石俊郎 , 田中康幸
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-052760
公開番号（公開出願番号）：特開平10-190042
特許番号：特許第3620761号
出願日： 1997年03月07日
公開日（公表日）： 1998年07月21日
請求項（抜粋）：

【請求項1】第1の導電形を有する第1の半導体層、第2の導電形を有する第2の半導体層及び前記第1の半導体層と第2の半導体層に挟まれた光受光層とからなる成長層を基板上に設けてなる半導体受光素子において、前記成長層及び前記基板の端面の前記光受光層のある表面側部分のみには、表面側から離れるに従い内側に傾斜した逆メサ構造の光入射端面を設けることにより、該光入射端面で入射光を屈折させて、前記光受光層を入射光が層厚方向に対し斜めに通過するようにしたことを特徴とする半導体受光素子。

IPC (1件)：