プラズマ処理におけるダメージ低減方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：小林将高
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-185875
公開番号（公開出願番号）：特開平5-009742
特許番号：特許第2601573号
出願日： 1991年07月01日
公開日（公表日）： 1993年01月19日
請求項（抜粋）：

【請求項1】マグネットコイルを外周に有し、かつマイクロ波導入口を有する円筒形のプラズマ生成室と、このプラズマ生成室と対向し高周波バイアスを印加可能な基板ホルダを有する試料室とからなり、電子サイクロトロン共鳴法を用いてプラズマを生成するプラズマ処理装置を用いたプラズマ処理において、前記マグネットコイルをその軸心と平行方向に移動して電子サイクロトロン共鳴点をダメージ低減領域に移動させてプラズマ処理を施し前記基板ホルダ上のウエハに形成された半導体素子へのダメージを低減することを特徴とするプラズマ処理におけるダメージ低減方法。

IPC (4件)：