特許
J-GLOBAL ID：201103083276358614
半導体装置の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山川 政樹 (外1名)
公報種別：特許公告
出願番号（国際出願番号）：特願昭62-178977
公開番号（公開出願番号）：特開平1-023554
出願日： 1987年07月20日
公開日（公表日）： 1989年01月26日
請求項（抜粋）：
【請求項1】半導体基板上に第1の導電層を形成する工程と、該第1の導電層上に絶縁層を形成する工程と、該絶縁層に接続孔を開ける工程と、該接続孔の中に金属柱を該接続孔の深さより浅く形成する工程と、酸素イオンのみでスパッタエッチングすることにより前記金属柱の上面より上にある前記接続孔の側壁にテーパを形成する工程と、その上に第2の導電層を形成する工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (2件)：
H01L 21/3205
, H01L 21/302 M 9277-4M
