特許

J-GLOBAL ID：201103085357955750

半導体装置の製造方法

発明者： 町田 克之 ,  及川 秀男
出願人/特許権者： 日本電信電話株式会社
代理人 (1件)： 谷 義一
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平1-131538
公開番号（公開出願番号）：特開平2-310926
特許番号：特許第2514250号
出願日： 1989年05月26日
公開日（公表日）： 1990年12月26日
請求項（抜粋）：

【請求項1】穴部を含む配線層を表面に有する半導体基板をプラズマ処理装置の基板支持手段上に支持し、該支持手段にバイアスを印加しながら、絶縁膜の原料ガスと共に酸素および窒素の少なくとも一種を前記プラズマ処理装置を導入し、前記穴部を含む配線層上に絶縁膜を形成する工程を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (2件)：

H01L 21/3205 ,  H01L 21/283

FI (2件)：

H01L 21/88 K ,  H01L 21/283 W