特許

J-GLOBAL ID：201103091895765901

半導体装置の製造方法

発明者： 町田 克之 ,  下山 展弘 ,  峯岸 一茂
出願人/特許権者： 日本電信電話株式会社
代理人 (1件)： 山川 政樹
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-059324
公開番号（公開出願番号）：特開平6-252275
特許番号：特許第2779996号
出願日： 1993年02月25日
公開日（公表日）： 1994年09月09日
請求項（抜粋）：

【請求項1】 電子サイクロトロン共鳴法によるプラズマにより第1の絶縁膜を形成する第1の工程と、前記第1の絶縁膜上に塗布法または化学気相成長法により第2の絶縁膜を形成する第2の工程と、前記第2の絶縁膜に電子サイクロトロン共鳴法による酸素ガスのプラズマを照射し、連続して窒素ガスのプラズマを照射する第3の工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (2件)：

H01L 21/768 ,  H01L 21/316

FI (2件)：

H01L 21/90 M ,  H01L 21/316 M

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開平1-154536
  
• 特開昭62-277750