特許
J-GLOBAL ID：201103096636005356
ヘテロ接合トランジスタ
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小林 将高
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-148904
公開番号（公開出願番号）：特開平5-326546
特許番号：特許第3282115号
出願日： 1992年05月18日
公開日（公表日）： 1993年12月10日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 半導体基板上に、n型でGau In1-u Pv As1-v (ただし、0≦u≦1,0≦v≦1)のコレクタ用半導体層と、p型でGax In1-xAsy Sb1-y (ただし、0≦x≦1,0≦y≦1)の第1ベース用半導体層と、p型でGak In1-k Pj As1-j (ただし、0≦k≦1,0≦j≦1)またはAlm Gan In1-m-n As(ただし、0≦m≦1,0≦n≦1)の第2ベース用半導体層と、n型で、かつ前記第2ベース用半導体層に比べ広いエネルギーバンドギャップを有するGaw In1-w Pz As1-z (ただし、0≦w≦1,0≦z≦1)のエミッタ用半導体層とが積層されており、かつ、前記第2ベース用半導体層と第1ベース用半導体層との接合部はスタガード型バンド構造を有し、第1ベース用半導体層とコレクタ用半導体層との接合部はスタガード型バンド構造もしくは伝導帯のエネルギー不連続がゼロである構造を有することを特徴とするヘテロ接合トランジスタ。
IPC (2件)：
H01L 21/331
, H01L 29/737
