文献

J-GLOBAL ID：201202105161576810   整理番号：12A1400431

自己形成型InAs/GaAs量子ドット系でのドット間電子結合による横方向光伝導特性(II)

著者 (8件)： 佐藤慎也 (甲南大 理) ,  大西一洋 (甲南大 理) ,  稲田貢 (甲南大) ,  梅津郁朗 (甲南大 理) ,  梅津郁朗 (甲南大) ,  杉村陽 (甲南大 理) ,  杉村陽 (甲南大) ,  VACCARO P. O. (ATR環境研)
資料名： 応用物理学関係連合講演会講演予稿集  (Extended Abstracts. Spring Meeting. Japan Society of Applied Physics and Related Societies)
巻： 48th  号： 3  ページ： 1357  発行年： 2001年03月28日 
JST資料番号： Y0054A  資料種別： 会議録 (C)
発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

タイトルに関連する用語 (8件)： 自己形成 ,  InAs ,  GaAs ,  量子ドット ,  ドット ,  電子 ,  横方向 ,  光伝導