文献

J-GLOBAL ID：201202162894798677   整理番号：12A1346675

SHb-0.1-μm W/TiN/pn-poly-SiゲートCMOSデバイス

著者 (7件)： 斎藤幸重 (NECシステム・デバイス 基礎研究本部) ,  若林整 (NECシステム・デバイス 基礎研究本部) ,  木下啓藏 (NECシステム・デバイス 基礎研究本部) ,  齋藤忍 (NECシステム・デバイス 基礎研究本部) ,  成広充 (NECシステム・デバイス 基礎研究本部) ,  新井浩一 (NECシステム・デバイス 基礎研究本部) ,  最上徹 (NECシステム・デバイス 基礎研究本部)
資料名： 応用物理学会学術講演会講演予稿集  (Extended Abstracts. Annual Meeting. Japan Society of Applied Physics)
巻： 61st  号： 2  ページ： 778  発行年： 2000年09月03日 
JST資料番号： Y0055A  資料種別： 会議録 (C)
発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

タイトルに関連する用語 (6件)： TiN ,  PN ,  Si ,  ゲート ,  CMOS ,  デバイス