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J-GLOBAL ID：201202180048810646   整理番号：12A1395550

HVPE法による低貫通転位密度GaN基板

著者 (5件)： 冨岡聡 (ソニー) ,  冨谷茂隆 (ソニー TSセ) ,  船戸健次 (ソニー) ,  宮嶋孝夫 (ソニー) ,  小林俊雅 (ソニー)
資料名： 応用物理学会学術講演会講演予稿集  (Extended Abstracts. Annual Meeting. Japan Society of Applied Physics)
巻： 61st  号： 1  ページ： 308  発行年： 2000年09月03日 
JST資料番号： Y0055A  資料種別： 会議録 (C)
発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

タイトルに関連する用語 (3件)： HVPE ,  貫通転位密度 ,  GaN