文献

J-GLOBAL ID：201202204764888342   整理番号：12A1436406

パルスレーザーメルティングによるSiへのTiの過飽和ドープ II

著者 (3件)： 川邊大介 (甲南大 理工) ,  杉村陽 (甲南大 理工) ,  梅津郁朗 (甲南大 理工)
資料名： 応用物理学会学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts of the Meeting. Japan Society of Applied Physics (CD-ROM))
巻： 73rd  ページ： ROMBUNNO.11A-B2-9  発行年： 2012年08月27日 
JST資料番号： Y0055B  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *パルスレーザ ,  溶融実験 ,  ケイ素 ,  チタン ,  *過飽和 ,  *ドーピング ,  濃度 ,  イットリウムアルミニウムガーネット ,  結晶化 ,  光吸収

分類 (1件)： レーザの応用  (BD04100V)

タイトルに関連する用語 (4件)： Si ,  Ti ,  過飽和 ,  ドープ