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J-GLOBAL ID：201202211597816136   整理番号：12A0332950

温度補償SAWデバイスへのSiOF膜の適用

著者 (8件)： 松田聡 (太陽誘電) ,  松田聡 (千葉大) ,  三浦道雄 (太陽誘電) ,  松田隆志 (太陽誘電) ,  上田政則 (太陽誘電) ,  佐藤良夫 (太陽誘電) ,  原基揚 (東北大) ,  橋本研也 (千葉大)
資料名： 圧電材料・デバイスシンポジウム  (圧電材料・デバイスシンポジウム講演論文集)
巻： 2012  ページ： 71-72  発行年： 2012年01月30日 
JST資料番号： L5218A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *温度補償 ,  *弾性表面波素子 ,  *フッ素 ,  *ドーピング ,  二酸化ケイ素 ,  FTIR分光法 ,  ニオブ酸リチウム ,  含有量 ,  *温度係数 ,  膜厚 ,  基板 ,  アドミタンス

分類 (1件)： 弾性表面波デバイス  (NC03120T)

タイトルに関連する用語 (2件)： 温度補償 ,  SAWデバイス