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J-GLOBAL ID：201202229183405319   整理番号：12A1436401

パルスレーザーメルティング法によるSiへのMnの過飽和ドープ

著者 (5件)： 小柴悠資 (甲南大 理工) ,  川邊大介 (甲南大 理工) ,  松田祐樹 (甲南大 理工) ,  杉村陽 (甲南大 理工) ,  梅津郁朗 (甲南大 理工)
資料名： 応用物理学会学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts of the Meeting. Japan Society of Applied Physics (CD-ROM))
巻： 73rd  ページ： ROMBUNNO.11A-B2-4  発行年： 2012年08月27日 
JST資料番号： Y0055B  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *パルスレーザ ,  溶融実験 ,  *ケイ素 ,  *マンガン ,  *過飽和 ,  ドーピング ,  光吸収 ,  チタン ,  不純物準位

分類 (1件)： レーザの応用  (BD04100V)

タイトルに関連する用語 (4件)： Si ,  Mn ,  過飽和 ,  ドープ