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J-GLOBAL ID：201202242381820786   整理番号：12A0379249

10G個のトランジスタの閾値電圧変動性の測定

Measuring Threshold Voltage Variability of 10G Transistors

著者 (3件)： MIZUTANI Tomoko (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN) ,  KUMAR Anil (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN) ,  HIRAMOTO Toshiro (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN)
資料名： Technical Digest. International Electron Devices Meeting  (Technical Digest. International Electron Devices Meeting)
巻： 2011  ページ： 563-566  発行年： 2011年 
JST資料番号： C0829B  ISSN： 0163-1918  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 超高速閾値電圧測定専用特殊デバイス行列アレイTEGを用い,超LSIにおける10G個のトランジスタの閾値変動性を測定した。N型FETの閾値電圧変動性はほぼ正規分布し,P型FETは低閾値側に明確なテールを有して,サブ閾値の低下は最低動作電圧を顕著に低減し,ドレイン誘導性障壁低下は短チャネル効果を軽減する最適エネルギー値を下げることがわかった。

シソーラス用語： 超LSI ,  *FET【トランジスタ】 ,  P型半導体 ,  N型半導体 ,  *電圧変動 ,  可変性 ,  電気測定 ,  正規分布 ,  確率分布 ,  *閾値 ,  閾値電圧
準シソーラス用語： 電界効果トランジスタ

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (3件)： トランジスタ ,  閾値電圧 ,  変動性