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J-GLOBAL ID：201202245518944223   整理番号：12A0192418

CVDによって充填した高アスペクト孔におけるGeSbTe組成の検証

Verification of GeSbTe composition in the high aspect hole filled by Chemical Vapor Deposition

著者 (10件)： MACHIDA Hideaki (Gas-phase Growth Ltd., Tokyo, JPN) ,  HORIIKE Takafumi (Meiji Univ., Kawasaki, JPN) ,  HAMADA Seiti (Meiji Univ., Kawasaki, JPN) ,  UNO Tomohiro (Meiji Univ., Kawasaki, JPN) ,  SAWAMOTO Naomi (Meiji Univ., Kawasaki, JPN) ,  SUDA Kohei (Meiji Univ., Kawasaki, JPN) ,  ISHIKAWA Masato (Gas-phase Growth Ltd., Tokyo, JPN) ,  SUDO Hiroshi (Gas-phase Growth Ltd., Tokyo, JPN) ,  OHSHITA Yoshio (Toyota Technological Inst., Nagoya, JPN) ,  OGURA Atsushi (Meiji Univ., Kawasaki, JPN)
資料名： Proceedings of the Symposium on Phase Change Optical Information Storage  (Proceedings of the Symposium on Phase Change Optical Information Storage)
巻： 23rd  ページ： 64-68  発行年： 2011年 
JST資料番号： L1450A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

シソーラス用語： 化学組成 ,  *化学蒸着 ,  大容量メモリ ,  *PRAM【メモリ】 ,  基板 ,  表面粗さ ,  穴 ,  アンチモン化合物 ,  ゲルマニウム化合物 ,  テルル化物 ,  相変化材料 ,  *テルル化ゲルマニウムアンチモン

分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (3件)： CVD ,  組成 ,  検証