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J-GLOBAL ID：201202249861711779   整理番号：12A0589707

強制汚染およびリンゲッタリングによる多結晶Si中の鉄およびニッケルの挙動

著者 (8件)： 宮崎直人 (明治大) ,  土屋佑樹 (明治大) ,  鮫島崇 (明治大) ,  立花福久 (明治大) ,  小島拓人 (豊田工大) ,  大下祥雄 (豊田工大) ,  新船幸二 (兵庫県大) ,  小椋厚志 (明治大)
資料名： 応用物理学関係連合講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts of the Spring Meeting, Japan Society of Applied Physics and the Related Societies)
巻： 59th  ページ： ROMBUNNO.17P-B10-14  発行年： 2012年02月29日 
JST資料番号： Y0054B  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *ポリシリコン ,  *鉄 ,  *ニッケル ,  *ゲッタリング ,  *リン ,  *ドーピング ,  *少数キャリア ,  *小傾角粒界 ,  *電子線誘起電流 ,  コントラスト ,  ホウ素 ,  キャリア再結合
準シソーラス用語： 多結晶シリコン ,  EBIC

分類 (1件)： 半導体の格子欠陥  (BK12040Q)

タイトルに関連する用語 (6件)： 強制 ,  汚染 ,  多結晶Si ,  鉄 ,  ニッケル ,  挙動