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J-GLOBAL ID：201202251717890426   整理番号：12A0937030

金属導電率をもつATiO_3-xH_x(A=Ba,Sr,Ca)のエピタキシャル薄膜

Epitaxial Thin Films of ATiO_3-xH_x (A = Ba, Sr, Ca) with Metallic Conductivity

著者 (9件)： YAJIMA Takeshi (Kyoto Univ., Kyoto, JPN) ,  KITADA Atsushi (Kyoto Univ., Kyoto, JPN) ,  KOBAYASHI Yoji (Kyoto Univ., Kyoto, JPN) ,  SAKAGUCHI Tatsunori (Kyoto Univ., Kyoto, JPN) ,  BOUILLY Guillaume (Kyoto Univ., Kyoto, JPN) ,  KASAHARA Shigeru (Kyoto Univ., Kyoto, JPN) ,  TERASHIMA Takahito (Kyoto Univ., Kyoto, JPN) ,  TAKANO Mikio (Kyoto Univ., Kyoto, JPN) ,  KAGEYAMA Hiroshi (Kyoto Univ., Kyoto, JPN)
資料名： Journal of the American Chemical Society  (Journal of the American Chemical Society)
巻： 134  号： 21  ページ： 8782-8785  発行年： 2012年05月30日 
JST資料番号： C0254A  ISSN： 0002-7863  CODEN： JACSAT  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： (LaAlO₃)_0.3(SrAl_0.5Ta_0.5O₃)_0.7基体上でデポジットされたエピタキシャルATiO₃(A=Ba,Sr,Ca)薄膜のCaH₂還元によって,チタニウムペロブスカイトオキシ水素化物ATiO_3-xH_xのエピタキシャル薄膜を調製した。SIMS実験によって,例えばA=Srに対して,4.0×10²¹原子/cm³の大量の水素化物,膜中での均一な分布,およびH₂ガスで交換する水素化物の能力が示された。2Kまでの広い温度範囲で10²-10⁴S/cmの金属導電率が観測された。ドーパントとしての水素化物の組み込みによって,先例のない量へ酸化物中のキャリアを制御することが可能となった。

シソーラス用語： *チタン酸塩 ,  *バリウム化合物 ,  *ストロンチウム化合物 ,  *カルシウム化合物 ,  *エピタクシー ,  *薄膜成長 ,  *電気伝導率 ,  イオン伝導 ,  二次イオン質量分析 ,  水素化物 ,  ペロブスカイト型結晶 ,  アルミン酸塩 ,  ランタン化合物 ,  タンタル酸塩 ,  三酸化ランタンアルミニウム
準シソーラス用語： アルミン酸ランタン

分類 (2件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  塩基,金属酸化物  (CD01030Z)

タイトルに関連する用語 (5件)： 導電率 ,  Sr ,  Ca ,  エピタキシャル ,  薄膜