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J-GLOBAL ID：201202271469450326   整理番号：12A1447095

MgO/CoFeB/MgO自由層を用いた磁気トンネル接合の高スピントルク効率

High Spin Torque Efficiency of Magnetic Tunnel Junctions with MgO/CoFeB/MgO Free Layer

著者 (9件)： JAN Guenole (TDK-Headway Technol. Inc., CA, USA) ,  WANG Yu-Jen (TDK-Headway Technol. Inc., CA, USA) ,  MORIYAMA Takahiro (TDK-Headway Technol. Inc., CA, USA) ,  LEE Yuan-Jen (TDK-Headway Technol. Inc., CA, USA) ,  LIN Mark (TDK-Headway Technol. Inc., CA, USA) ,  ZHONG Tom (TDK-Headway Technol. Inc., CA, USA) ,  TONG Ru-Ying (TDK-Headway Technol. Inc., CA, USA) ,  TORNG Terry (TDK-Headway Technol. Inc., CA, USA) ,  WANG Po-Kang (TDK-Headway Technol. Inc., CA, USA)
資料名： Applied Physics Express  (Applied Physics Express)
巻： 5  号： 9  ページ： 093008.1-093008.3  発行年： 2012年09月25日 
JST資料番号： F0599C  ISSN： 1882-0778  CODEN： APEPC4  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 高い熱安定性因子だけでなく,低い閾値スイッチング電流と電圧を同時に示す垂直磁気トンネル接合(MTJ)に対する研究結果を報告する。これらの結果は,MgO/CoFeB/MgO構造の自由層を用いて,37nm径の接合に対して平均で3.0k_BT/μAにまでスピントルク効率を高めることにより達成できた。この値は,MgO/CoFeB/Ta自由層の値の約3倍で,今までに報告された中でも最高の値である。異なるRA,したがって,異なるスイッチング電圧とパワーを持つ2つの膜を比較することにより,加熱と電圧変調異方性変化がスイッチング特性に与える寄与を調べた。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： 酸化マグネシウム ,  *トンネル接合 ,  *トルク ,  ホウ化物 ,  コバルト化合物 ,  鉄化合物 ,  *磁気トンネル接合 ,  *スピントルク
準シソーラス用語： 自由層

分類 (1件)： その他の接合  (BM03088W)

タイトルに関連する用語 (4件)： MgO ,  自由層 ,  磁気トンネル接合 ,  スピントルク