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J-GLOBAL ID：201202297326496669   整理番号：12A0558002

パルスレーザーメルティングによるSiへのTiの過飽和ドープ

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著者 (5件)： 川邊大介 (甲南大 大学院自然科学研究科) ,  中川将 (甲南大 大学院自然科学研究科) ,  松田祐樹 (甲南大 大学院自然科学研究科) ,  杉村陽 (甲南大 理工) ,  梅津郁朗 (甲南大 理工)
資料名： Memoirs of Konan University. Science and Engineering Series  (Memoirs of Konan University. Science and Engineering Series)
巻： 58  号： 1  ページ： 21-31  発行年： 2011年12月25日 
JST資料番号： F0795A  ISSN： 1348-0383  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： パルス幅数nsのYAGレーザを用いて,パルスレーザメルティング法により,SiへのTiの過飽和ドープ試料を作製し,その光吸収特性及び結晶性を調べた。過飽和試料は,Si基板表面に高濃度のTiを打ち込み,YAGレーザを照射しアニールすることにより作製した。YAGレーザ照射後の試料は,Si単結晶のRamanピークを示した。Ti過飽和ドープ層の光吸収を測定した結果,強いサブギャップ吸収が起きていることが分かった。SドープSi試料との比較から,このサブギャップ吸収は,過飽和ドープによる準安定状態の形成が原因と考えられた。

シソーラス用語： *ケイ素 ,  *ドーピング ,  *パルスレーザ照射 ,  光吸収 ,  結晶度 ,  Ramanスペクトル ,  準安定状態 ,  *チタン ,  *レーザ融解 ,  ナノ秒 ,  YAGレーザ

分類 (2件)： 半導体の格子欠陥  (BK12040Q) ,  レーザ照射・損傷  (BK16040S)

タイトルに関連する用語 (4件)： SI ,  Ti ,  過飽和 ,  ドープ