希土類永久磁石薄膜の製造方法

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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-258774
公開番号（公開出願番号）：特開2012-109490
出願日： 2010年11月19日
公開日（公表日）： 2012年06月07日
要約：

【課題】 Taなどの高融点金属層とR-T-B系永久磁石が積層された高性能永久磁石薄膜を用いた、高加工精度の小型・高性能なマイクロデバイスを、低コストで大量に生産することができる、希土類永久磁石薄膜の製造方法の提供。【解決手段】基板上に、厚さ500nm以下の希土類合金磁性層と、厚さ50nm以下の高融点金属層を含む多層構造を有する希土類永久磁石薄膜を形成し、前記希土類永久磁石薄膜上にフォトレジスト層を形成し、前記フォトレジスト層を露光、現像することによりパターニングし、前記パターニングされた前記フォトレジスト層をマスクとして、露出した前記希土類永久磁石薄膜をイオンミリングにより除去し、残存する前記希土類永久磁石薄膜上の前記フォトレジスト層を酸素プラズマアッシングにより除去する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

基板上に、R元素(R元素はNd、Pr、Tb、Dyの少なくとも一種でありNd及び/又はPrを必ず含む)とT元素(TはFeまたはFe及びCo)とBを必須元素として含有する厚さ500nm以下の希土類合金磁性層と、Ta、Ti、Nb、Zr及びMoのうち少なくとも一種からなる厚さ50nm以下の高融点金属層を含む多層構造を有する希土類永久磁石薄膜を形成する工程、前記希土類永久磁石薄膜上にフォトレジスト層を形成する工程、前記フォトレジスト層を露光、現像することによりパターニングする工程、前記パターニングされた前記フォトレジスト層をマスクとして、露出した前記希土類永久磁石薄膜をイオンミリングにより除去する工程、残存する前記希土類永久磁石薄膜上の前記フォトレジスト層を酸素プラズマアッシングにより除去する工程、を包含する希土類永久磁石薄膜の製造方法。

IPC (4件)：

H01F 10/14 , H01F 41/34 , H01F 41/18 , C23F 4/00

FI (4件)：

H01F10/14 , H01F41/34 , H01F41/18 , C23F4/00 A

Fターム (19件)：

4K057DA13 , 4K057DB02 , 4K057DB08 , 4K057DC10 , 4K057DD04 , 4K057DE14 , 4K057DG13 , 4K057DG17 , 4K057DG18 , 4K057DK03 , 4K057DN01 , 5E049AA01 , 5E049AB09 , 5E049AC05 , 5E049BA01 , 5E049DB04 , 5E049DB12 , 5E049EB05 , 5E049GC01

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