特許

J-GLOBAL ID：201203085661262130

有機薄膜の形成方法および有機デバイスの製造方法

発明者： 後藤 修 ,  保原 大介 ,  野元 章裕 ,  村上 洋介 ,  冨谷 茂隆
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (4件)： 藤島 洋一郎 ,  三反崎 泰司 ,  長谷部 政男 ,  田名網 孝昭
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-186435
公開番号（公開出願番号）：特開2012-044110
出願日： 2010年08月23日
公開日（公表日）： 2012年03月01日
要約：

【課題】結晶核の形成位置および結晶の成長方向を制御して単結晶の有機薄膜を形成することが可能な有機薄膜の形成方法を提供する。【解決手段】有機溶液20の温度TSが溶解度曲線よりも高温側に位置するT1になると共に、その有機溶液20の周辺環境の蒸気圧PがT1における飽和蒸気圧になるようにして、幅広の溶液蓄積領域11およびそれに連結された幅狭の溶液絞込領域12に有機溶液20を供給する。こののち、有機溶液20の温度TSをT1から溶解度曲線と過溶解度曲線との間に位置するT2まで低下させる。【選択図】図6

請求項（抜粋）：

(1)溶媒およびそれに溶解された有機材料を含む有機溶液と、前記有機溶液に関する溶解度曲線(濃度対温度)および過溶解度曲線(濃度対温度)と、互いに連結された溶液蓄積領域およびそれよりも幅が狭い溶液絞込領域を一面に有する製膜用基体とを準備し、 (2)前記有機溶液の温度TSが前記溶解度曲線よりも高温側に位置する温度T1になると共に、前記有機溶液の周辺環境の蒸気圧Pが前記温度T1における飽和蒸気圧になるようにして、前記溶液蓄積領域および前記溶液絞込領域に前記有機溶液を供給し、 (3)前記温度TSを前記温度T1から前記溶解度曲線と前記過溶解度曲線との間に位置する温度T2まで低下させる、 有機薄膜の形成方法。

IPC (5件)：

H01L 21/368 ,  H01L 21/336 ,  H01L 29/786 ,  H01L 51/05 ,  H01L 51/40

FI (5件)：

H01L21/368 L ,  H01L29/78 618A ,  H01L29/78 618B ,  H01L29/28 100A ,  H01L29/28 310J

Fターム (37件)：

5F053AA22 ,  5F053AA50 ,  5F053DD19 ,  5F053FF01 ,  5F053GG01 ,  5F053HH05 ,  5F053LL10 ,  5F110AA30 ,  5F110BB01 ,  5F110CC01 ,  5F110CC03 ,  5F110CC05 ,  5F110CC07 ,  5F110DD05 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE06 ,  5F110EE43 ,  5F110EE44 ,  5F110EE45 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF29 ,  5F110GG05 ,  5F110GG12 ,  5F110GG42 ,  5F110GG57 ,  5F110HK01 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK06 ,  5F110HK32 ,  5F110HK33 ,  5F110HK34