特許

J-GLOBAL ID：201203092975295330

電界効果型トランジスタ

発明者： 杉山 弘樹 ,  重川 直輝
出願人/特許権者： 日本電信電話株式会社
代理人 (3件)： 山川 政樹 ,  山川 茂樹 ,  小池 勇三
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-116681
公開番号（公開出願番号）：特開2012-248563
出願日： 2011年05月25日
公開日（公表日）： 2012年12月13日
要約：

【課題】実用上十分なプロセスマージンを備える状態で、リーク電流の増大およびキャリア濃度の低下を招くことなく、ゲート電極とチャネル層との距離が短縮できるようにする。【解決手段】InPからなる基板101の上に形成された電子供給層102と、電子供給層102の上に形成されたスペーサ層103と、スペーサ層103の上に形成されたチャネル層104と、チャネル層104の上に形成された障壁層105とを備え、障壁層105は、GaおよびAlの少なくとも1つと、Inと、Pとを含んだアンドープの化合物半導体から構成し、InPよりショットキー障壁高さが高いものとされている。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

InPからなる基板の上に形成されてn型の化合物半導体からなる電子供給層と、 前記電子供給層の上に形成されたスペーサ層と、 前記スペーサ層の上に形成されたInGaAsおよびInAsより選択された化合物半導体からなるチャネル層と、 前記チャネル層の上に形成された障壁層と、 前記障壁層の上に形成されたゲート電極と、 前記ゲート電極を挟んで各々離間して前記障壁層に接して形成された2つのコンタクト層と、 一方の前記コンタクト層の上に形成されたソース電極と、 他方の前記コンタクト層の上に形成されたドレイン電極と を少なくとも備え、 前記コンタクト層は、GaおよびAlの少なくとも1つと、Inと、Asとを構成元素とするn型の化合物半導体から構成され、 前記障壁層は、GaおよびAlの少なくとも1つと、Inと、Pとを構成元素とするアンドープ化合物半導体から構成されていることを特徴とする電界効果型トランジスタ。

IPC (6件)：

H01L 21/338 ,  H01L 29/778 ,  H01L 29/812 ,  H01L 21/336 ,  H01L 29/78 ,  H01L 21/306

FI (3件)：

H01L29/80 H ,  H01L29/78 301B ,  H01L21/306 B

Fターム (29件)：

5F043AA14 ,  5F043AA16 ,  5F043BB07 ,  5F043BB10 ,  5F043FF01 ,  5F043GG10 ,  5F102GA01 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD01 ,  5F102GJ06 ,  5F102GK04 ,  5F102GL04 ,  5F102GL08 ,  5F102GM04 ,  5F102GN04 ,  5F102GQ02 ,  5F102GR10 ,  5F140AA24 ,  5F140BA08 ,  5F140BA16 ,  5F140BB06 ,  5F140BB18 ,  5F140BD11 ,  5F140BE03 ,  5F140BE09 ,  5F140BF42 ,  5F140BG24 ,  5F140BH06