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J-GLOBAL ID：201302225951014873   整理番号：13A1793788

高電圧ストレスによるSRAMセル安定性の製造後の自己改良の実験的実証

Experimental Demonstration of Post-Fabrication Self-Improvement of SRAM Cell Stability by High-Voltage Stress

著者 (4件)： HIRAMOTO Toshiro (Inst. of Industrial Sci., The Univ. of Tokyo) ,  KUMAR Anil (Inst. of Industrial Sci., The Univ. of Tokyo) ,  SARAYA Takuya (Inst. of Industrial Sci., The Univ. of Tokyo) ,  MIYANO Shinji (Semiconductor Technol. Academic Res. Center (STARC))
資料名： IEICE Transactions on Electronics (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers)  (IEICE Transactions on Electronics (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
巻： E96-C  号： 6  ページ： 759-765 (J-STAGE)  発行年： 2013年 
JST資料番号： L1370A  ISSN： 0916-8524  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 製造後の高電圧ストレスによるスタティックランダムアクセスメモリ(SRAM)セルの安定性の自己改良を実験的に実証し,その機構を4kのデバイスマトリックスアレイ(DMA)のSRAMテストエレメントグループ(TEG)を用いて解析した。不平衡セルの安定性が単にSRAMのV_DD端子にストレス電圧を印加することによって自動的に改良することを示した。SRAMセルにおけるOFF状態のpFETの|V_TH|が選択的に低下し,それがセルの安定性を改良し,自己改良に寄与することが新たにわかった。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *SRAM ,  *安定性 ,  MOSFET ,  *改良 ,  実証実験 ,  保持 ,  トランジスタ ,  FET【トランジスタ】 ,  電圧変動 ,  雑音余裕 ,  劣化 ,  信頼度 ,  製造 ,  高電圧 ,  度
準シソーラス用語： データ保持 ,  性能劣化 ,  *電圧ストレス ,  電子デバイス製造 ,  半導体デバイス信頼性 ,  閾値電圧シフト

分類 (3件)： 半導体集積回路  (NC03162T) ,  トランジスタ  (NC03070N) ,  信頼性  (KB04040H)

引用文献 (27件)：

• HOENEISEN, B. Fundamental Iimitations in microelectronics-I. MOS technology. Solid-State Electron. 1972, 15, 819-829
• KEYES, R. W. The effect of randomness in the distribution of impurity atoms on FET thresholds. Appl. Phys. 1975, 8, 251-259
• PELGROM, M. J. M. Matching properties of MOS transistors. IEEE J. Solid-State Circuits. 1989, 20, 5, 1433-1439
• MIZUNO, T. Experimental study of threshold voltage fluctuation due to statistical variation of channel dopant number in MOSFET's. IEEE Trans. Electron Devices. 1994, 1, 11, 2216-2221
• ASENOV, A. Random dopant induced threshold voltage lowering and fluctuations in sub-0.1μ MOSFFT's : 3-D 'atomistic' simulation study. IEEE Trans. Electron Devices. 1998, 45, 12, 2505-2513

タイトルに関連する用語 (7件)： 電圧ストレス ,  SRAM ,  セル ,  安定性 ,  自己 ,  実験 ,  実証