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J-GLOBAL ID：201302230545239752   整理番号：13A1425859

ここまで来たフォトニック結晶 極微小・超低閾値ラマンシリコンレーザー

著者 (5件)： 高橋和 (大阪府大) ,  千原賢大 (大阪府大) ,  乾善貴 (京大) ,  浅野卓 (京大) ,  野田進 (京大)
資料名： Optronics  (Optronics)
号： 381  ページ： 93-97  発行年： 2013年09月10日 
JST資料番号： Y0019A  ISSN： 0286-9659  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 解説  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 2002年,インテル社からシリコン細線導波路と誘導Raman散乱の組み合わせによる,全シリコンからなるレーザの初めての室温連続発振が報告されたが,この場合,2光子吸収を発生する自由キャリア除去のために,シリコン細線導波路中にPiNダイオード構造を設けることが必要とされた。著者らは,最近,長さ10μm程度の高Q値のフォトニック結晶ナノ共振器を用いることで,PiNダイオード構造を付加しなくても1μWのしきい値で室温連続発振が達成できることを見いだした。ここでは,この低しきい値Ramanレーザを実現する,所定の周波数差を持つ二ナノ共振器モードをうみだすデバイス構造と発振メカニズム,およびレーザの入力-出力特性を紹介した。著者らのRamanシリコンレーザのサイズと消費エネルギーはインテル社発表のレーザの1/10000以下であり。このため,シリコンの自然放出光でもレーザの励起源に利用できる可能性がある。提案のレーザを用いれば,電子技術と光技術の融合に基づく理想なシリコンチップへの道が開ける。

シソーラス用語： *Ramanレーザ ,  半導体チップ ,  連続発振 ,  室温 ,  微小共振器 ,  エネルギー消費 ,  閾値 ,  光ポンピング ,  ケイ素 ,  *半導体レーザ ,  フォトニック結晶
準シソーラス用語： ナノ共振器 ,  消費エネルギー

分類 (1件)： 半導体レーザ  (BD04070L)

タイトルに関連する用語 (3件)： フォトニック結晶 ,  微小 ,  閾値