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J-GLOBAL ID：201302244395798864   整理番号：13A0033459

パルスレーザー堆積法により作製したLi,Ni-codoped ZnO薄膜内に形成される不純物および欠陥準位がホール係数へ及ぼす影響

著者 (7件)： 大堀大介 (宮崎大) ,  石倉健 (宮崎大) ,  境健太郎 (宮崎大) ,  中村大輔 (九大) ,  岡田龍雄 (九大) ,  RAO M. S. R. (インド工科大) ,  碇哲雄 (宮崎大)
資料名： 応用物理学会九州支部学術講演会講演予稿集
巻： 38  ページ： 128  発行年： 2012年12月01日 
JST資料番号： L1487A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *レーザ蒸着 ,  ドーピング ,  リチウム ,  ニッケル ,  *酸化亜鉛 ,  半導体薄膜 ,  欠陥準位 ,  *係数 ,  Hall効果 ,  *パルスレーザ蒸着 ,  *Hall係数 ,  共ドーピング
準シソーラス用語： 同時ドーピング

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (8件)： パルスレーザー堆積法 ,  作製 ,  Li ,  Ni ,  ZnO薄膜 ,  不純物 ,  欠陥準位 ,  ホール係数