文献

J-GLOBAL ID：201302244734285812   整理番号：13A1406567

i-GaAs/n-GaAsエピタキシャル構造における光励起キャリアの非平衡輸送と超高速光応答

クリップ

著者 (5件)： 長谷川尊之 (兵庫県大 大学院) ,  竹内日出雄 (大阪市大 大学院) ,  山田永 (住友化学 筑波研) ,  秦雅彦 (住友化学 筑波研) ,  中山正昭 (大阪市大 大学院)
資料名： 日本物理学会講演概要集  (日本物理学会年次大会講演概要集)
巻： 68  号： 2 第4分冊  ページ： 692  発行年： 2013年08月26日 
JST資料番号： S0671B  ISSN： 1342-8349  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *ヘテロ接合 ,  エピタクシー ,  *化合物半導体 ,  *ヒ化ガリウム ,  N型半導体 ,  真性半導体 ,  輸送現象 ,  *光ポンピング ,  応答 ,  *光電流 ,  キャリア輸送
準シソーラス用語： 光応答

分類 (1件)： 光伝導,光起電力  (BM03050J)

タイトルに関連する用語 (6件)： GaAs ,  エピタキシャル ,  光励起 ,  キャリア ,  非平衡輸送 ,  光応答