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J-GLOBAL ID：201302253336943264   整理番号：13A1616052

欠損型シリコタングステートを不均一系触媒とした第一級アミドの脱水反応

著者 (4件)： 板垣真太朗 (東大) ,  鎌田慶吾 (東大) ,  山口和也 (東大) ,  水野哲孝 (東大)
資料名： 触媒討論会討論会A予稿集  (触媒討論会(A)講演予稿集)
巻： 112th  ページ： 130-131  発行年： 2013年09月11日 
JST資料番号： S0874A  ISSN： 1343-9936  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 欠損型シリコタングステート,特にTBA₄[α-H₄SiW₁₁O₃₉](I,TBA=tetra-n-butylammonium)が第一級アミドの脱水反応に対する触媒として機能することを見出した。Iは様々な第一級アミドに適用可能であり,対応するニトリルを高収率で与えた。また,Iは不均一系触媒として機能し,その活性を維持したまま再使用が可能であった。(著者抄録)

シソーラス用語： *タングステン酸塩 ,  *ケイ素化合物 ,  *触媒 ,  *脱水反応 ,  *触媒活性 ,  *ニトリル ,  収率 ,  反応機構 ,  *ヘテロポリ酸 ,  芳香族カルボン酸 ,  カルボアミド ,  *不均一系触媒 ,  *酸

分類 (4件)： 不均一系触媒反応  (CB06100E) ,  塩基,金属酸化物  (CD01030Z) ,  芳香族単環アミン・イミン・第四アンモニウム・インモニウム  (CF05050D) ,  付加反応,脱離反応  (CF02030M)

物質索引 (2件)： テトラブチルアンモニウム ,  ベンズアミド

タイトルに関連する用語 (4件)： 欠損 ,  不均一系触媒 ,  アミド ,  脱水反応