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J-GLOBAL ID：201302295123189870   整理番号：13A1806889

CePt(Si_xGe_1-x)₂の圧力下電気抵抗

著者 (5件)： 大屋七海 (新潟大) ,  小貫真太郎 (新潟大) ,  加瀬直樹 (新潟大) ,  中野智仁 (新潟大) ,  武田直也 (新潟大)
資料名： 高圧討論会講演要旨集  (Abstracts. HPCJ)
巻： 54th  ページ： 197  発行年： 2013年10月30日 
JST資料番号： L1222A  ISSN： 0917-6373  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： 電気抵抗率 ,  *白金化合物 ,  *セリウム化合物 ,  *ケイ化物 ,  *ゲルマニウム化合物 ,  単結晶 ,  磁気転移 ,  高圧 ,  超伝導 ,  結晶成長 ,  圧力誘起超伝導 ,  常圧 ,  反強磁性転移 ,  単結晶成長
準シソーラス用語： 単結晶育成

分類 (1件)： 金属系超伝導体の物性  (BM04022R)

タイトルに関連する用語 (1件)： 電気抵抗