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J-GLOBAL ID：201302299020570334   整理番号：13A0526059

室温でのシリコン単一量子ドットにおける単一電子/正孔トランジスタのゲート制御選択動作

Gate-tunable selective operation of single electron/hole transistor modes in a silicon single quantum dot at room temperature

著者 (5件)： LEE Sejoon (Quantum-functional Semiconductor Res. Center, Dongguk University-Seoul, Seoul 100-715, KOR) ,  LEE Youngmin (Dep. of Semiconductor Sci., Dongguk University-Seoul, Seoul 100-715, KOR) ,  SONG Emil B. (Dep. of Electrical Engineering, Univ. of California, Los Angeles, California 90095, USA) ,  WANG Kang L. (Dep. of Electrical Engineering, Univ. of California, Los Angeles, California 90095, USA) ,  HIRAMOTO Toshiro (Inst. of Industrial Sci., Univ. of Tokyo, Tokyo 153-8505, JPN)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 102  号： 8  ページ： 083504-083504-4  発行年： 2013年02月25日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

シソーラス用語： *制御 ,  *単一電子トランジスタ ,  量子ドット ,  ケイ素 ,  半導体 ,  *トランジスタ ,  *ゲート制御 ,  単一量子ドット ,  *単一正孔トランジスタ
準シソーラス用語： シリコン

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (7件)： 室温 ,  シリコン ,  単一量子ドット ,  単一電子 ,  正孔 ,  トランジスタ ,  ゲート制御