特許

J-GLOBAL ID：201303058841452379

半導体装置の製造方法

発明者： 工藤 和久 ,  矢野 正樹 ,  小西 敏文 ,  亀井 敏和 ,  松島 隆明 ,  町田 克之
出願人/特許権者： エヌ・ティ・ティ・アドバンステクノロジ株式会社
代理人 (2件)： 山川 政樹 ,  山川 茂樹
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-085893
公開番号（公開出願番号）：特開2011-216812
特許番号：特許第5197670号
出願日： 2010年04月02日
公開日（公表日）： 2011年10月27日
請求項（抜粋）：

【請求項1】複数の顧客による各々異なる半導体集積回路が共同で作製された半導体基板の上に配線層を備える第1LSIチップ領域および第2LSIチップ領域を作製する工程と、 前記第1LSIチップ領域以外の領域の前記配線層を除去してブラインド領域を形成する工程と を少なくとも備えることを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (4件)：

H01L 21/3205 ( 200 6.01) ,  H01L 21/768 ( 200 6.01) ,  H01L 23/522 ( 200 6.01) ,  H01L 21/02 ( 200 6.01)

FI (2件)：

H01L 21/88 Z ,  H01L 21/02 Z