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J-GLOBAL ID：201402200838650768   整理番号：14A0279602

シリコンからのリン除去のための電子ビーム融解の応用: 冶金プロセスによるソラーグレードシリコンの生産に向けて

Application of Electron Beam Melting to the Removal of Phosphorus from Silicon: Toward Production of Solar-Grade Silicon by Metallurgical Processes

著者 (4件)： SASAKI Hideaki (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN) ,  KOBASHI Yoshifumi (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN) ,  NAGAI Takashi (Chiba Inst. Technol., Chiba, JPN) ,  MAEDA Masafumi (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN)
資料名： Advances in Materials Science and Engineering (Web)  (Advances in Materials Science and Engineering (Web))
巻： 2013  号： 3  ページ： ARTICLE ID 857196,1-8  発行年： 2013年 
JST資料番号： U7020A  ISSN： 1687-8434  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 文献レビュー  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： より小さな経済的負担やより安価により,ソラーグレードシリコン(SoG-Si)を生産するために,冶金グレードシリコン(Si)からの不純物除去について集中的に検討する。凝固精製のような通常の冶金法の応用が困難であるために,リン(P)の除去は重要な課題である。その高い蒸気圧に起因して,溶融SiからPは優先的に蒸発するために,電子ビーム(EB)融解をSiの精製に適用した。Siからの不純物Pの蒸発は,ここでは以前の熱力学検討に基づいて考慮し,SiのEB融解に関する数件の検討についてレビューする。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： リン ,  *電子ビーム融解 ,  冶金 ,  *ケイ素 ,  *脱リン ,  精製 ,  文献展望 ,  太陽電池 ,  *除去 ,  不純物 ,  蒸気圧 ,  熱力学 ,  温度依存性 ,  圧力効果 ,  蒸発 ,  不純物除去
準シソーラス用語： *リン除去

分類 (2件)： 製錬  (WD02030A) ,  固体デバイス材料  (NC03020K)

タイトルに関連する用語 (6件)： シリコン ,  リン除去 ,  電子ビーム融解 ,  応用 ,  冶金 ,  プロセス