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J-GLOBAL ID：201402204102987795   整理番号：14A1193909

Si/SiCヘテロ接合の電気的性質に及ぼす界面状態電荷の影響

Effects of interface state charges on the electrical properties of Si/SiC heterojunctions

著者 (5件)： LIANG J. (Dep. of Electrical Engineering, Osaka City Univ., Sugimoto 3-3-138, Sumiyoshi, Osaka 558-8585, JPN) ,  NISHIDA S. (Dep. of Electrical Engineering, Osaka City Univ., Sugimoto 3-3-138, Sumiyoshi, Osaka 558-8585, JPN) ,  HAYASHI T. (Dep. of Electrical Engineering, Osaka City Univ., Sugimoto 3-3-138, Sumiyoshi, Osaka 558-8585, JPN) ,  ARAI M. (New Japan Radio Co., Ltd., Fukuoka 2-1-1, Fujimino, Saitama 356-8510, JPN) ,  SHIGEKAWA N. (Dep. of Electrical Engineering, Osaka City Univ., Sugimoto 3-3-138, Sumiyoshi, Osaka 558-8585, JPN)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 105  号： 15  ページ： 151607-151607-4  発行年： 2014年10月13日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

シソーラス用語： *ヘテロ接合 ,  ケイ素 ,  炭化ケイ素 ,  *表面準位 ,  電荷 ,  温度依存性 ,  *容量電圧特性 ,  半導体材料 ,  P型半導体 ,  バンド構造 ,  エネルギー帯
準シソーラス用語： エネルギーバンド ,  *界面状態

分類 (1件)： 表面の電子構造  (BM02080J)

タイトルに関連する用語 (6件)： Si ,  SiC ,  ヘテロ接合 ,  電気的性質 ,  界面状態 ,  電荷