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J-GLOBAL ID：201402209020215419   整理番号：14A0381525

シリコン量子ドットの多重量子状態による単電子輸送の室温における観測

Observation of Single Electron Transport via Multiple Quantum States of a Silicon Quantum Dot at Room Temperature

著者 (4件)： LEE Sejoon (Dongguk Univ.-Seoul, Seoul, KOR) ,  LEE Youngmin (Dongguk Univ.-Seoul, Seoul, KOR) ,  SONG Emil B. (Univ. California, California, USA) ,  HIRAMOTO Toshiro (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN)
資料名： Nano Letters  (Nano Letters)
巻： 14  号： 1  ページ： 71-77  発行年： 2014年01月 
JST資料番号： W1332A  ISSN： 1530-6984  CODEN： NALEFD  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 室温において多重量子準位を持つシリコン量子ドットデバイスを通した単電子輸送を達した。シリコン(Si)ナノワイヤ(NW)の微細加工により微小な楕円体状のSi量子ドット部分をSiNW中央部に作製し,SiNWをチャネルとするMOSFETを作製した。チャネルを全て囲むオールアラウンドゲート構造により高い電子準位の安定性を達成するとともに,量子ドットが室温の熱エネルギーの三倍より大きな準位間隔の多重量子準位を有することをCoulombブロッケードの観測により確かめた。

シソーラス用語： *量子ドット ,  *ケイ素 ,  *エネルギー準位 ,  *輸送 ,  MOSFET ,  ゲート【半導体】 ,  Coulombブロッケード ,  振動 ,  間隔 ,  *室温
準シソーラス用語： オールアラウンドゲート ,  *シリコン ,  多重量子準位 ,  準位間隔 ,  *単電子輸送

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (7件)： シリコン ,  量子ドット ,  多重 ,  量子状態 ,  電子輸送 ,  室温 ,  観測