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J-GLOBAL ID：201402212262734675   整理番号：14A0386988

フォトニック結晶ナノ共振器ラマンシリコンレーザー

Raman Silicon Laser Using a Photonic Crystal Nanocavity

著者 (4件)： 高橋和 (大阪府大 21世紀科学研究機構) ,  乾善貴 (京大) ,  浅野卓 (京大) ,  野田進 (京大)
資料名： レーザー研究  (レーザー学会誌)
巻： 42  号： 3  ページ： 250-255  発行年： 2014年03月15日 
JST資料番号： X0335A  ISSN： 0387-0200  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 文献レビュー  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： レーザ光をシリコンから生成することはシリコンフォトニクス分野において重要な課題である。しかし,未だシリコンでレーザ光源が実現されていない。誘導ラマン散乱現象を利用して,シリコンバルクでレーザ発振を実現した。このRamanレーザについて解説した。特に,極微小で超低閾値のデバイスの技術について述べた。Ramanレーザの動作原理を述べ,フォトニック結晶ナノ共振器を利用した超低閾値化の方法を示した。自由キャリア吸収損失をラマン利得が上回るためには,Raman散乱確率が高くなるような電界分布の設計が重要であった。ヘテロ構造ナノ共振器で形成される導波モードに由来するナノ共振器モードを利用して室温連続発振に成功した。シリコンLEDからの発光を利用した電流注入型Ramanレーザが期待できる。これには高Q値のナノ共振器の実現が必要である。

シソーラス用語： オプトエレクトロニクス ,  CMOS構造 ,  結晶 ,  *誘導Raman散乱 ,  正孔 ,  レーザ発振 ,  導波モード ,  *微小共振器 ,  素子構造 ,  ヘテロ接合 ,  電位分布 ,  *Ramanレーザ ,  ケイ素 ,  *半導体レーザ ,  閾値 ,  利得 ,  Q値 ,  *フォトニック結晶 ,  シリコンフォトニクス ,  MOS構造
準シソーラス用語： *ナノ共振器

分類 (2件)： 半導体レーザ  (BD04070L) ,  非線形光学  (BD05000T)

引用文献 (37件)：

• 1) S. S. Iyer and Y.-H. Xie: Science 260 (1993) 40.
• 2) Y. Takahashi, Y. Inui, M. Chihara, T. Asano, R. Terawaki, and S. Noda: Nature (London) 498 (2013) 470.
• 3) R. Loudon: Adv. Phys. 13 (1964) 423.
• 4) J. M. Ralston and R. K. Chang: Phys. Rev. B 2 (1970) 1858.
• 5) R. Claps, D. Dimitropoulos, and B. Jalali: IEE Electron. 38 (2002) 1352.

タイトルに関連する用語 (2件)： フォトニック結晶 ,  ナノ共振器