文献

J-GLOBAL ID：201402216395303230   整理番号：14A1100976

軽元素イオン注入によるSiウェーハ中の遷移金属に対する近接ゲッタリング効果(2)

著者 (2件)： 古賀祥泰 (SUMCO) ,  栗田一成 (SUMCO)
資料名： 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Autumn Meeting (CD-ROM))
巻： 75th  ページ： ROMBUNNO.20A-A20-13  発行年： 2014年09月01日 
JST資料番号： Y0055B  ISSN： 2758-4704  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： 元素 ,  *イオン注入 ,  *ウエハ【IC】 ,  *遷移金属 ,  *ゲッタリング ,  撮像装置 ,  イオン ,  陽子 ,  ニッケル ,  層 ,  二次イオン質量分析 ,  格子欠陥 ,  ケイ素 ,  エピタキシャル層 ,  軽元素 ,  炭素イオン ,  *シリコンウエハ
準シソーラス用語： *Siウエハ ,  *近接ゲッタリング

分類 (1件)： 半導体の格子欠陥  (BK12040Q)

タイトルに関連する用語 (5件)： 軽元素 ,  イオン注入 ,  Siウェーハ ,  遷移金属 ,  ゲッタリング